聚丙烯廢氣處理設備江蘇

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吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對VOCs進(jìn)行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。

含VOCs的氣體自吸收塔底部進(jìn)入塔內，在上升過(guò)程中與來(lái)自塔頂的吸收劑逆流接觸，凈化后的氣體由塔頂排出。吸收了VOCs的吸收劑通過(guò)熱交換器后，進(jìn)入汽提塔頂部，在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過(guò)溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過(guò)冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開(kāi)汽提塔，被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化，其他情況下需要作相應的工藝調整。

在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時(shí)，流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上，此現象稱(chēng)為吸附。吸附處理廢氣時(shí)，吸附的對象是氣態(tài)污染物，氣固吸附。被吸附的氣體組分稱(chēng)為吸附質(zhì)，多孔固體物質(zhì)稱(chēng)為吸附劑。

固體表面吸附了吸附質(zhì)后，一部被吸附的吸附質(zhì)可從吸附劑表面脫離，此現附。而當吸附進(jìn)行一段時(shí)間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時(shí)需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附，以協(xié)的吸附能力，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為吸附劑的再生。因此在實(shí)際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過(guò)程，達到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。

 常見(jiàn)的產(chǎn)生等離子體的方法是氣體放電，所謂氣體放電是指通過(guò)某種機制使一電子從氣體原子或分子中電離出來(lái)，形成的氣體媒質(zhì)稱(chēng)為電離氣體，如果電離氣由外電場(chǎng)產(chǎn)生并形成傳導電流，這種現象稱(chēng)為氣體放電。根據放電產(chǎn)生的機理、氣體的壓j源性質(zhì)以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電；③介質(zhì)阻擋放電；④射頻放電；⑤微波放電。無(wú)論哪一種形式產(chǎn)生的等離子體，都需要高壓放電。容易打火產(chǎn)生危險。由于對諸如氣態(tài)污染物的治理，一般要求在常壓下進(jìn)行。

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光催化是常溫深度反應技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物*氧化成無(wú)毒無(wú)害的產(chǎn)物，而傳統的高溫焚燒技術(shù)則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規的催化、氧化方法亦需要的高溫。

從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑。常見(jiàn)的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點(diǎn)，具體研究中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽(yáng)光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，使用和研究的單一化合物光催化劑。